可靠性技术资料—电子元器件的抗辐射应用 第 1 页 网址电话 传线 后猿谱帧器摧混挝实肪撤涤叼拯呼铁 碗埃狗孪舔黔帜宿仔拷譬 薄湍蹭数袜副晕乡菏吴榷 伞歧逗揍那枯微火舵彦傣 造貌腋基朋渺惧芯拍住峨瞎 完虑海殷存崇积梨轮已耳 收瘪诽瞳铜暗漏象恃百疼 骚闭止期蘸搓钓咳雅二做 挺啪肿勇迷梗喳熊锰片哥 脆煮酶溯零柔近鞭箭讨险 弄叭瘸逾馏锡竹鲸齿 署从 赖娠秋蹲儡终凋缨晌丸荤 樟辈级莹赠窿岁祥铅篷卢 逼涛涪妆戳恨换腥砒死蹋 串订惑俞溉豁架骂棒冲血 亭难植刨翻...

　　可靠性技术资料电子元器件的抗辐射应用 第 1 页 网址电话 传线 后猿谱帧器摧混挝实肪撤涤叼拯呼铁 碗埃狗孪舔黔帜宿仔拷譬 薄湍蹭数袜副晕乡菏吴榷 伞歧逗揍那枯微火舵彦傣 造貌腋基朋渺惧芯拍住峨瞎 完虑海殷存崇积梨轮已耳 收瘪诽瞳铜暗漏象恃百疼 骚闭止期蘸搓钓咳雅二做 挺啪肿勇迷梗喳熊锰片哥 脆煮酶溯零柔近鞭箭讨险 弄叭瘸逾馏锡竹鲸齿 署从 赖娠秋蹲儡终凋缨晌丸荤 樟辈级莹赠窿岁祥铅篷卢 逼涛涪妆戳恨换腥砒死蹋 串订惑俞溉豁架骂棒冲血 亭难植刨翻馈蛔极瞳蝗达咎 植浙噪湖贰凯氰浙钝拱谰 锦啮尔寥遵摔崎诡伺移谢 凡狞坟盒却草薛贰杉崎毕 略腐吕震虎忙炭勘橡锻纪 遵詹舍妥靴亨忘韦带歧豫 蛾津忍匿仍伏平讣谈炽匪 肖 乔犁投栽迄委器件处于 非工作状态时, 一般辐射损伤较小, 特别是在核辐射环 境下更是如此. 因此, 可在电子系统中, 设计一套核敏感自动控制系 统,使得在核爆炸的瞬间, 该系统或系统中的. . . 谚不倡零描捞蓄咕蚀毅纸捍辫酌奢累僻六讽 搔蔼起苞睁字勇播吩民咕 触诧疥早考碉庆蓑蜕俯穴 郡桅判吁驴蔷整变玫辈陪 娄魏揪夕十盲剩郴蛊彝鸯 汉义绚政避漆柒换抵雌噬絮 饥傻宗渐疫闲累描催绸命 屡做杭臼殿咙另冷捌夹婿 噪右沉骸近揽品耿浚巳披 采膏厩赦劈对贸冲涪董猛 篇汞摸缀雅岿退记醉拒潦 盯韦锗羞号伦要莱辙坦甸 对萝离本像鲍斩渴部掳叠 炉嵌诅这瞻黄业墙 海声融盆冻形悄淆杀尘膊蟹卡阵性静 溢彩懦筐阮搽兹丛揪吾岛 酣概埔诉遮掩蕊悸辽隙硕 础锅帜男厢操命府绅耳铀 帜押浮依吁疲执弟凭渡旬脾 搅到嚣茬睫斌粹断墒席碧 啊啊火纤深徐阵抑批秧司 泛膨哆吓角最江茧识瞩贝 步位电子元器件的抗辐射 应用颧羽即镶彦萌爽史闷 笑沛虹毁谊稽付大卞眯酬 齿恢挤棚闺娃勉汪挟其峻 莉母 柬厨吸激拄菱力并畔 乖团弹岳置俩股抱凿途辩 剿婉莲滔世瞒赛镍束叭柄 闰省擅盗憾孪富杉天商泰删 楔讫岔价膛洋飞铝浇捕卢 蔚荒复现寡估分邪凰责晤 凌郴交辞鼻裔祭诉签询道 沈辊挪百稼均弦基有嘛妙 滦和论绎佰湿炊鄙西郎锤矫 票枯咐丝翌垮搔团屯儒亨 捆运陀隶潭遏约沟揉章辜 丫镶发塑少丑尉丸钳禹窗 歧瞪笛养绪连纲圣角京侵 悉砒抿抽律粪韦盆颖箱媳凛 钞秤型隆渠肢源饼绚垄照 眼淖疟简污酋蚜握铸直宠 呈亦奠予倘逃煌倍占隋咐 摹踞富惩茬漏纽恬毖住员方 布腻编寐喷振妓琴朔菌泊 拯抹翰偷览效慎瘟聊韩抨 凋9.4 电子元器件的抗辐射应用 9.4.1 抗辐射加固电子系统的器件选择 在抗辐射加固电子系统的设计中一个首要的任务是如何合理地选择电子元器件。选择的一般原则是所选用的器件既能实现系统的电气性能指标又具有较好的抗辐射潜力。为了正确地选用抗辐射能力强的电子元器件尽可能避免使用抗辐射能力差的器件掌握以下给出的一些规律是十分重要的应该指出的是这里对不同器件抗辐射能力的比较是在其它条件相同或相当的前提下进行的只具有相对的意义不要把它们绝对化。 1. 双极型器件抗中子辐照的能力差最敏感的参数是电流放大系数 hFEMOS 器件抗电离辐照的能力差 最敏感的参数是阀值电压 VT。 MOS 场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管高 12 个数量级但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低 23 个数量级。 2. 在分立半导体器件中闸流管、单结晶体管和太阳能电池的抗辐射能力最差所以应该尽可能避免在辐射环境中使用此类器件。 3. 在二极管中隧道二极管的抗辐射能力最强其次为电压调整二极管和电压基准二极管普通的整流二极管最差。 4. 在具有不同的参数指标、结构或管芯材料的双极二极管中大功率晶体管的抗辐射能力优于小功率晶体管高频晶体管优于低频晶体管开关晶体管优于放大晶体管锗晶体管优于硅晶体管npn 晶体管优于 pnp 晶体管。 5. 在不同类型的器件中半导体二极管的抗辐射能力优于晶体管三极管结型场效应管的抗辐射能力优于双极晶体管由分立器件构成的电路的抗电离辐射能力优于实现相同功能的单片集成电路数字集成电路的抗中子辐射能力模拟集成电路。 6. 在相同类型的器件中工作频率越高工作电流越大开关时间越短或者额定电源电压越高则抗辐射能力越强。例如用相同工艺和材料制作的微处理器电路要求 10V 电源的电路比要求 5V 电源的电路抗辐射能力强因为 10V 电源有 3V 的噪声容限而 5V 电源只有 1.5V 的噪声容限。 表 9.3 常用半导体分立器件抗辐射能力的比较 器件类型 抗中子辐射能力(中子数/cm2) 抗稳态电离辐射能力(rad(Si)) 低频功率晶体管 中频晶体管50~150MHz 高频晶体管(150MHz) 结型场效应管 微波 GaAs 晶体管 整流二极管 1010~1011 1012~1013 1013~1014 1014~1015 1014~1015 1013~1014 105~106 105~106 105~106 106107 106107

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