倾佳电子杨茜分析BASiC基本股份碳化硅（SiC）MOSFET功率模块（BMF80R12RA3和BMF160R12RA3）在高频电源应用（如电镀、焊接、感应加热）中全面取代IGBT模块的核心原因：

　　倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

　　倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

　　倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！

　　倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！

　　倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

　　IGBT的典型导通压降为2V左右，在相同电流下，SiC MOSFET的导通损耗更低，效率更高（尤其在高压、大电流场景）。

　　IGBT因存在“尾电流”导致关断损耗高，而BASiC基本股份 SiC MOSFET无此问题，特别适合高频开关（如100kHz以上）。

　　铜基板和优化的封装（如低电感设计）进一步提升了散热能力，适合高频下的持续高功率输出。

　　模块采用低电感设计（如40nH），减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升高频稳定性。

　　SiC器件体积更小，结合高电流密度（BMF160R12RA3支持160A@75°C），可在相同体积下实现更高功率输出，简化系统设计。

　　IGBT需外接快恢复二极管，而SiC MOSFET无需额外器件即可实现高效续流，简化电路并降低成本。

　　焊接机和感应加热需要快速开关以控制能量输出，BASiC基本股份 SiC MOSFET的高频特性可显著提升响应速度和精度。

　　电镀电源要求低纹波和高效率，BASiC基本股份 SiC的低损耗和低EMI特性更符合需求。

　　SiC材料的高击穿电场强度（10倍于硅）和抗辐射能力，延长了模块在高频、高温环境下的寿命。

　　BASiC基本股份 SiC MOSFET模块通过更低的导通/开关损耗、更高的开关频率、优异的热管理以及紧凑的设计，在高频电源应用中全面超越了IGBT模块。其核心优势在于效率提升（降低能耗）、功率密度提升（缩小系统体积）以及可靠性增强（适应高温、高频环境），完美契合电镀、焊接和感应加热等场景的技术需求。返回搜狐，查看更多pg电子平台网站