金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种抗辐射封装结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119742304 A，申请日期为2024年12月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种抗辐射封装结构及其制造方法。该结构包括：第一重布线层；防护层，布置在所述第一重布线层之下；金属柱，布置在所述第一重布线层之上pg电子平台网站；处理器芯片模块，布置在所述第一重布线层之上；防护盖，遮盖所述处理器芯片模块；塑封层，塑封并包覆所述金属柱、所述处理器芯片模块以及所述防护盖；第二重布线层，布置在所述塑封层之上；探测器芯片模块，布置在所述第二重布线层之上；焊球。本发明提供的抗辐射封装结构，在处理器芯片模块之上设置防护盖，在处理器芯片模块之下设置pg电子平台网站防护层，对处理器芯片模块形成立体防护，可以有效地降低外界对处理器芯片模块的辐射，提高了封装结构的使用寿命。

　　天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币，实缴资本34692.32万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目101次，财产线条，此外企业还拥有行政许可53个。