随着数字电路工艺的不断发展，单元器件的尺寸逐渐缩短，使得单粒子电荷共享和单粒子翻转（Single Event Upset，SEU）等效应日益严重，增加了抗辐射加固模块设计难度，因此需要设计者结合版图和模块级SRAM的电路结构，在电路面积和性能两方面进行优化。优化后模块级SRAM电路的单粒子效应翻转阈值，需要通过建模和仿真来预估。现有的仿真方式主要有双指数电流注入、分段式电流源辐射仿线]，由于两者仿真结果差异较大，很难形成共识。因此需要提出一种共性的辐射效应仿真方法和步骤，在模块设计完成后进行完整的辐射效应仿真，以完善现有的模块级数字化设计流程。

　　。模块级SRAM电路敏感节点与其电路结构相关，通过分析其受辐照后存储单元发生翻转效应的内部机理，可以确定一个或多个敏感节点的位置。而模块级SRAM电路的敏感性则需通过仿真，模拟各个节点在受到重离子辐照后的电荷收集情况，并通过引起翻转的重离子LET值及翻转的次数对加固设计的好坏进行预估评价。本文提出一种研究模块级SRAM电路单粒子翻转的仿真方法。首先根据模块级SRAM电路结构，并对其敏感节点进行分析，根据分析结果，建立包含敏感节点的三维物理模型，并确定粒子样本的入射位置。同时，进行粒子输运与能量沉积模拟，利用包含敏感节点的三维物理模型和粒子输运与能量沉积模拟联合仿真的方法，进行模块级SRAM电路单粒子翻转的仿真研究。最后对整个模块级SRAM电路区域进行多次单粒子事件的扫描仿真，用来估算出存储单元电路的SEU敏感截面。pg电子直营站官网pg电子直营站官网