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　　本发明专利技术公开了一种防辐射型系统级封装光电模块工艺，包括如下步骤：101）盖板制作焊盘步骤、102）盖板上制作空腔步骤、103）盖板上制作通孔步骤、104）底座上制作凹坑步骤、105）底座处理步骤、106）封装步骤；本发明专利技术提供有效避免模块内部光电芯片被辐射，同时适合批量生产的一种防辐射型系统级封装光电模块工艺。

　　通常卫星搭载的载荷有相控阵雷达、高清相机、惯性导航及各类传感器，随着载荷性能的逐渐提高，对于数据传输的速率要求逐渐增加，光纤数传由于具有重量轻、电磁屏蔽特性好、通信容量大、易于复用集成等优点，成为了数据传输中高频电缆线的良好替代品。但是在某些特定环境中，各种辐射会严重影响到光芯片对光纤内光子的感应和传输，甚至对高速工作的光芯片带来致命的伤害。对于此类光模块，一般会用耐辐射的光纤来做，但是对于光芯片来说，则需要通过加保护封盖的方式对其进行保护，使其具备防辐射功能。对于防止辐射的问题，传统的方法是用陶瓷基板和陶瓷封装壳体，把模块的功能芯片通过粘贴打线的方式进行焊接，但是对于12路或者24路以上的光纤通讯来说，要做到把所有芯片均匀的焊接在陶瓷壳体里面，且陶瓷壳体内部还要用金属覆盖，以此来保证防辐射的能力，不仅在工艺上难以实现，且不利于量产。

　　本专利技术克服了现有技术的不足，提供有效避免模块内部光电芯片被辐射，同时适合批量生产的一种防辐射型系统级封装光

　　1.一种防辐射型系统级封装光电模块工艺，其特征在于，结构上包括盖板和底座，具体处理包括如下步骤：101）盖板制作焊盘步骤：通过光刻、电镀工艺在盖板表面制作键合金属即形成焊盘，焊盘高度在10nm到1000um之间，键合金属采用铜，铝，镍，银，金，锡中的一种或几种，键合金属本身采用一层或多层结构，其厚度为10nm到1000um之间；盖板采用4、6、8、12寸中的一种，其厚度范围为200um到2000um；102）盖板上制作空腔步骤：在盖板表面通过光刻、干法刻蚀工艺制作空腔，空腔深度在10nm到400um，空腔形状采用方形、梯形或圆形，空腔的边长或者直径在10um到40000um之间；在该盖板表面设

　　1.一种防辐射型系统级封装光电模块工艺，其特征在于，结构上包括盖板和底座，具体处理包括如下步骤：101）盖板制作焊盘步骤：通过光刻、电镀工艺在盖板表面制作键合金属即形成焊盘，焊盘高度在10nm到1000um之间，键合金属采用铜，铝，镍，银，金，锡中的一种或几种，键合金属本身采用一层或多层结构，其厚度为10nm到1000um之间；盖板采用4、6、8、12寸中的一种，其厚度范围为200um到2000um；102）盖板上制作空腔步骤：在盖板表面通过光刻、干法刻蚀工艺制作空腔，空腔深度在10nm到400um，空腔形状采用方形、梯形或圆形，空腔的边长或者直径在10um到40000um之间；在该盖板表面设置绝缘层，绝缘层采用氧化硅、氮化硅或者直接通过热氧化形成，绝缘层上设置种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层本身结构为一层或多层，采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者多种；通过电镀铜，使铜金属覆盖空腔内部，并通过CMP工艺去除盖板表面铜；103）盖板上制作通孔步骤；在盖板与空腔相对的一面通过光刻、干法刻蚀工艺在该表面制作通孔，通孔深度在10nm到400um，通孔形状为方形、梯形或圆形，其通孔边长或直径为10um到40000um；用湿法腐蚀工艺打开通孔底部的铜金属层，使得通孔与空腔联通；104）底座上制作凹坑步骤：通过干法刻蚀在底座上表面制作凹坑，凹坑采用立方形、倒梯形、圆柱形或者半球形，凹坑的尺寸为10um到10000um，其包括立方形、倒梯形的长宽高或者圆柱形、半球形的直径、高度；底座的尺寸与盖板的尺寸一致，底座的厚度范围为200um到2000um；在底座上表面设置绝缘层，绝缘层采用氧化硅、氮化硅或者直接通过热氧化形成，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；绝缘层上设置种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层本身结构为一层或多层，pg电子平台网站采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者多种；通过电镀铜，使铜金属充满凹坑，并在200到500度温度下密化；CMP工艺去除盖板表面铜；105）底...