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　　本发明专利技术一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块及其封装方法，通过抗辐射加固Si功率器件和氮化镓高电子迁移率晶体管电源设备平衡，建立低寄生功率组合架构；控制抗辐射加固Si功率器件处于线性模式；构建组合功率结构，集成整个应用程序开发组件和IC，组合无源元件及氮化镓高电子迁移率晶体管电源设备功率架构，进行抗辐射加固通道金氧半场效晶体管组合；通过电路设计优化门驱动电路和电路板布局，并进行重叠验证后板布局设计，提高太空应用抗辐射性能；添加功能区SMD封装，并提供应力缓解及热膨胀缓解，匹配热膨胀系数从陶瓷基板到PCB电底座渐变，通过抗辐射加固功率离散器件焊料浸胶和端子侧间距增加减少高热膨胀系数不匹配应力。

　　本专利技术涉及半导体抗辐射加固封装高端智能制造，更具体地说，本专利技术涉及一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块及其封装方法。

　　1、目前，在太空中高辐射高温差环境下运行的电子设备可靠性非常最重要；抗辐射加固(rad加固)在存在空间辐射的情况下执行高辐射高温差任务，航天器件运行有许多变量系统必须提供一致和可靠的性能；由于pcb电路板和板上功率设备间材料差异，在两者之间保持可靠焊接，以及保持高度可靠、密封封装的设备的密封完整性是一个重大挑战；高能光子或粒子会引起瞬态突变，如果整个组件的电压超过其额定值，就会损坏晶体管；如何实现更优的解决方案；实现高可靠性的空间任务，以严重的热循环封装设计实现抗辐射加固(rad加固)晶体管模块及功率金氧半场效晶体管器件，以缓解电路板和器件封装之间的焊缝中的热膨胀差异、应力匹配；具体包括：如何进行抗辐射加固平衡、如何控制功率器件处于线性模式、如何构建组合功率结构开发组件和ic，组合无源元件及电源设备功率架构、如何电路设计优化驱动和布局及验证提高太空应用抗辐射性能、如何匹配热膨胀系数及减少高热膨胀系数不匹配应力等问题尚待解决

　　2.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，抗辐射加固平衡子模块，包括：

　　3.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，程序通道组合架构子模块，包括：

　　4.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，重叠验证后板布局子模块，包括：

　　5.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，应力热膨胀匹配抗辐射子模块，包括：

　　2.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，抗辐射加固平衡子模块，包括：

　　3.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，程序通道组合架构子模块，包括：

　　4.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，重叠验证后板布局子模块，包括：

　　5.根据权利要求1所述的一种高热稳定性的抗辐射加固晶体管模块，其特征在于，应力热膨胀匹配抗辐射子模块，包...